Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Методом 4-зондових вимірювань питомого електроопору досліджено вплив термообробки при 800 °C (ТО-800) на кінетику накопичення та відпалу кисневих термодонорів (КТД), що утворюються при 450 °C в монокристалах Si. Виявлено суттєве збільшення енергії активації КТД після ТО-800. Експериментальні результати проаналізовано з урахуванням ролі різних фазових станів кисню у вихідному Si. Запропонована інтерпретація враховує вплив внутрішніх пружних напружень кристалічної гратки Si, утворених мікрофлуктуаціями (МФ) концентрації кисню та КТД на дифузію атомів кисню. Кількісна оцінка розмірів МФ дає величину порядку сотен ангстремів.

Ключ. слова: аморфные сплавы, атомная структура, структурная релаксация, gamma-облучение, радиационные дефекты, магнитные свойства
Індекс рубрикатора НБУВ: К297.091

Рубрики:

Вплив опромінювання на структуру і властивості аморфних сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.271.51

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + З843.312

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.7

Рубрики:

Радіаційні ефекти у твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.4 + В372.7

Рубрики:

Аморфний (склоподібний) стан твердого тіла

Радіаційні ефекти у твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено перебудову станів домішки кисню у структурі кристалів кремнію під впливом їх теплового та радіаційного збудження. Доведено існування в кремнії неоднорідностей просторового розподілу даної домішки за субмікронних доз, за цього атоми кисню під дією тепла та радіації набувають додаткових колективних властивостей. Виявлено ефект терморадіаційної конденсації кисню на радіаційних дефектах за температур, коли його дифузія незначна. Проаналізовано механізми впливу домішок Sn і Pb на термо- та радіаційно-стимульовані трансформації стану кисню у кремнії. Виявлено утворення кількох нових акцепторних і донорних станів кисню у кремнії під час опромінення за температур повного відпалу усіх раніше невідомих електрично активних радіаційних дефектів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены перспективы использования суперконденсаторов в качестве элементов спутниковой системы энергообеспечения. Проведена серия лабораторных экспериментов по влиянию гамма- и электронного облучения на характеристики суперконденсаторов. Установлено, что суммарная эквивалентная доза радиации, способная ухудшить основные технические характеристики источника энергии, может быть накоплена на околоземных орбитах за время, которое значительно превышает время жизни самого спутника. Показано, что наиболее чувствительным к действию ионизирующей радиации элементом конструкции суперконденсаторов является электролит.

За допомогою методів оже-спектроскопії, електронної мікроскопії та комбінаційного розсіювання світла експериментально досліджено формування нанокристалів Sі в плівкових структурах аморфний Si - металеве Sn. Результати проаналізовано в сукупності з недавніми даними про кристалізацію аморфного Sш, легованого оловом. Запропоновано механізм трансформації кремнію із аморфного у нанокристалічний стан у евтектичному шарі на інтерфейсі Si - Sn. Суть механізму полягає у циклічному повторенні процесів утворення і розпаду розчину Si у Sn. Розглянуто прикладний аспект використання цього механізму у виробництві плівкового нанокремнію для сонячних елементів.

За допомогою методу комбінаційного розсіювання світла різної потужності поверхнею тонкоплівкових структур Si - Sn - Si досліджено процеси індукованої оловом кристалізації аморфного кремнію. Аналіз спектрів комбінаційного розсіювання використано для контролю температури, розміру та концентрації кристалів Si, що утворюються в матриці аморфного Si в процесі вимірювання спектрів. Виявлено значне прискорення металом індукованої кристалізації у процесі лазерного відпалу структур Si - Sn - Si у порівнянні з відпалом у темряві. Показано принципову можливість контролю в режимі "on line" розмірів і концентрації кристалів Si в процесі їх формування.

Досліджено вплив компонентного складу, умов гідратації та електронного опромінення на механічні, оптичні, дифузійні та гідрофільні властивості радіаційно-зшитих гідрогелів на основі системи полівініловий спирт-поліетиленгліколь з точки зору їх застосування у виготовленні медичних пов'язок для лікування опіків та ран. Експериментально виявлено та проаналізовано значний вплив інтенсивності електронного опромінення і температури розчинів на процеси радіаційного зшивання високомолекулярних полімерів. Показано переважну залежність гідрофільності зшитих гідрогелів від дози опромінення над залежністю від композиційного складу. Визначено діапазони оптимальності режимів опромінення та концентрації полімерів, що забезпечують вимоги до радіаційно-зшитого гідрогелю як матеріалу для медичних пов'язок.

За допомомгою методу комбінаційного розсіювання світла досліджено процеси індукованої оловом кристалізації аморфного кремнію в тонкоплівкових структурах Si - Sn - Si під дією різних видів імпульсного лазерного опромінення. Експериментально визначено та проаналізовано залежності розмірів та концентрації нанокристалів Si від потужності лазерних імпульсів тривалістю 10 нс та 150 мкс з довжиною хвилі 535 нм та 1070 нм. Показано можливість ефективної індукованої оловом трансформації кремнію із аморфної фази в кристалічну за час порядку 10 нс в шарах a-Si товщиною 200 нм під дією імпульсу лазерного світла. Теоретичний розрахунок просторового і часового розподілу температур в зоні дії лазерного променя використано для інтерпретації експериментальних результатів.

Індекс рубрикатора НБУВ: Р281.812/813 + В371.21

Рубрики:

Антисептичні засоби

Наноструктури

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ